早稲田大学理工学部,早稲田大学各務記念材料技術研究所
1995 年 64 巻 8 号 p. 777-781
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
極微構造半導体デバイスにおいて顕在化する不純物原子数あゆらぎによるデバイス特性のゆらぎを解消するために,現在シングルイオン注入技術の開発を進めている.開発の現状と課題を紹介し,また,固体表面・界面,あるいはデバイスへの照射効果,ならびにシリコン中の点欠陥の挙動を解明する手段としての応用の可能性を論じた.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら
