ソニー株式会社中央研究所
1995 年 64 巻 9 号 p. 912-915
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半導体レーザー励起Nd: YAGレーザーの共振器内第二高調波発生出力をβ-BaB2O4を用いた外部共振器に入射し266nmのコヒーレントな深紫外光で1.5Wの連続波出力が得られた.10HzのQ-swltch Nd: YAGレーザーを基本波とした時,1.3Wの213nm出力が得られた.また半導体レーザー励起の全固体の高繰り返しQ-switch Nd:YAGレーザーからも0.4Wの213nm出力が得られた.
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