東京理科大学理工学部電気工学科
1996 年 65 巻 1 号 p. 74-77
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
可視~紫外域の発光素子材料として興味深いワイドギャップl-lll-Vil2族力ルコパイライト型三元化合物半導体OuAlS2およびOuAlSe2からの励起子の関与したフォトルミネッセンスについて報告する.高品質ヘテロエピタキシャル薄膜を成長することにより,これらの材料から励起子発光が観測されるようになった.特にCuAlS2では,低次元構造を形成することなく室温でも励起子が関与すると思われる発光が観測された.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら