松下電器半導体研究センター
1996 年 65 巻 11 号 p. 1135-1138
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MOSデバイスの研究開発は実験的試作によってサブ0.1μmサイズにまで進んでいる. MOS-FETをこのサイズにまで微細化するために,モンテカルロデバイスシミュレーションは重要な技術課題である.本稿ではモンテカルロデバイスシミコ,レーシーヨンの近年の進展とCMOSデバイスへの将来展望を試みる.
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