富士通研究所
1996 年 65 巻 11 号 p. 1139-1143
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ゲート酸化膜中の欠陥や不純物は電荷の捕獲中心として働くと考えられているが,それらの物性は十分には理解されていない部分が多い.ここでは,アモルファスSiO2中の局所的歪みと,不純物OH, H, F, Clについて行った,非経験的分子軌遵法の計算を紹介する.計算で得られたこれらの欠陥の電子状態に基づいて,欠陥と正孔捕獲との関係を議論する.また,これらの欠陥とゲート酸化膜の劣化との関係についても考察する.
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