InAs自己形成量子ドット
1996 年 65 巻 11 号 p. 1149-1152
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1996 年 65 巻 11 号 p. 1149-1152
GaAS基板上InAsヘテロエピタキシーでは, InAsは二次元平面構造の後,三次元賜状構造の成長となる.この島の寸法は,数百Åであり,量子ドットの性質を示す.この島は人工的加工を経ず,成長時の,自然または自己形成のため,その表面は,機械的損傷がない.この自己形成量子ドットの基本について記す.ヘテロエピタキシーでは,格子不整合により,成長層に歪が蓄積される.この歪が緩和される過程で島が形成される.成長濃度480°Cにて,島の直径250Å以下,面密度46×109cm-2を得る. InAs平画層に銘べて,璽子ドットから約40倍強い光励起発光を得る.その発光がドットの量子効果によることを示す. InAs自己形成量子ドットの最近の動向についても記す.
