応用物理
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分光エリプソメトリーによる半導体薄膜表面のその場観察
Robert W. Collins清水 勇
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1996 年 65 巻 3 号 p. 237-243

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抄録

高速・自動化分光エリプソメトリーは,サブナノメーターの測定精度を持つとともに光プローブ計測法の利点である非破壊で高真空環境を必要としない簡便な「実時間・その場観測法」として薄膜評価法,あるいは薄膜作製時のモニタリング法としてその応用か期待されている.そこで,測定法を解説するとともに,半導体薄膜の.「実時間観測」例として,表面化学反応を制御してガラス基板上に多結晶シリコン薄膜をたい積する技術開発,およびダイヤモンド薄膜構造形成プロセス研究に応用した例を紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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