ペロブスカイト系強誘電体薄膜ヘテロ構造におけるメモリー効果
1996 年 65 巻 3 号 p. 274-278
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1996 年 65 巻 3 号 p. 274-278
銅酸化物超伝導体の母相などのべロブスカイト半導体を用いた強誘電体ヘテロ構造を提案し,これを用いた電界効果素子,ダイオードへの応用を紹介する.電界効果型素子は,室温で半導体層の電気伝導変調が長期間保持し,書き込み消去速度は寸法100μmの大きな素子でも7Vで10μs-1msである.強誘電体を過る電流はダイオード特性を示し,多くの強誘電体・半導体の組み合わせで順方向の電流にメモリー現象が見られた.
