応用物理
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半導体表面の化学エッチング過程の原子レベル解析
板谷 謹悟
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1996 年 65 巻 3 号 p. 279-283

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抄録

半導体表面上で起こるエッチング反応を液体中STMにより原子レベルで解析することが可能である. Si (111) およびSi (100) 上でのエッチング過程を原子レベルで観察すると,エッチングの異方性が解明できる. Si (111) およびGaAs (111) 面では,原子的に平滑な表面が液中に露出することは,エッチングが原子層を単位として,ステップの位置のみで進行するためである.原子レベルでの表面化学反応制御に一つの指針を与える.

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© 社団法人 応用物理学会
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