化学気相成長(CVD)の合理的設計
1997 年 66 巻 10 号 p. 1115-1119
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1997 年 66 巻 10 号 p. 1115-1119
実験と理論計算を巧みに動員するECONOMIXにより,CVDの設計が合理的に行えることをSiH4/O2系で例示する.素反応データベースに基づくシミュレーションは,ラジカルスカベンジャー添加の具体的指針を与える.理論化学の手法は気相素反応の予測の実用的手法にすでになりつつある.さらに原料系設計法の開発,表面理論化学利用法の開発,初期成膜プロセス制御法の開発,異常成長制御などをECONOMIXに取り込むべく研究を進めている.
