21世紀のULSI製造技術の概観
1997 年 66 巻 11 号 p. 1168-1169
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1997 年 66 巻 11 号 p. 1168-1169
21世紀のULSI製造技術を概観する.半導体集積回路のパターン寸法は3年で0.6倍から0.7倍のペースで微細化が進んできた.現在,ULSIの製造技術として見通しがたっているのは,パターン寸法が0.1μm程度までであり,より小さいパターン寸法を実現するためには,リソグラフィ-,エツチング,多層配線の各分野で新しい技術を多く取り入れる必要がある.一方,MOSFET自体はゲート長が10nm程度でも室温動作が可能と考えられる.21世紀のULSI製造技術の研究開発は,どのような方法で上記のギャップを解消できるかという点を追求していく展開になるだろう.
