DRAMキャパシターへの高誘電体薄膜の応用-課題と方向
1997 年 66 巻 11 号 p. 1210-1214
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1997 年 66 巻 11 号 p. 1210-1214
DRAMの急激な価格低落はメモリーセルの一層の縮小を促している.セル面積を左右するキャパシターの微細化可能性と予想される問題点を定量的に予測し,キャパシターの構造や絶縁膜の技術開発の方向を示した.BSTなどの高誘電率絶縁膜は高い誘電率を達成するだけでなく,0.1μm前後のスペースに均一な膜厚のキャパシターが形成できるよう20nm以下に薄膜化できる見通しが必要で,耐圧の確保が課題である.電極材料も同様に薄膜化し,かつ低抵抗を保てるよう金属電極化し, metal-insulator-metal (MIM)構造にする必要があって,Ta2O5-MIMキャパシターの実用化が望まれる.
