シリコンウエハー表面マイクロラフネスの評価
パワースペクトル解析の応用
1997 年 66 巻 12 号 p. 1316-1319
詳細
1997 年 66 巻 12 号 p. 1316-1319
半導体シリコン表面の微小な凹凸であるマイクロラフネスを評価するにはプロファイルのフーリエ変換で得られるスペクトル解析が有効である.このスペクトル解析の一種であるパワースペクトル解析では,相対的ではあるがAFM測定の信頼性が確認可能であり,さらにウエハ-間のマイクロラフネスの違いや各種洗浄プロセスでのマイクロラフネスの変化を空間波長ことに調査できる.これにより従来よりマイクロラフネスの記述に用いられているRMSなどの粗さパラメーターよりも詳細に表面の特徴が把握可能となる.
