NTTシステムエレクトロニクス研究所
1997 年 66 巻 2 号 p. 127-131
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InP基板に格子整舎するInAlAs/InGaAs HEMTの研究開発は,新材料電子デバイスとしての萌芽期を終え,集積回路応用での性能検証の段階に到達している.将来のミリ波帯MM沿や超高速光通信用ICのために,筆者らが開発したデバイス構造や,試作した集積園路を紹介し,その可能性について議論する.
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