原子価不整合系の半導体ヘテロ構造におけるバンド不連続量の制御
1997 年 66 巻 2 号 p. 161-165
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1997 年 66 巻 2 号 p. 161-165
原子価不整合系の半導体ヘテロ構造では,バンド不連続量が界面構造によって変化すると考えられる.本研究では,ZnSe/GaAsヘテロ構造において,界面近傍でのGaAs固相組成を人為的に変調することによって,価電子帯不連続量を0.6～1.1eVの範囲で制御でぎることを光電子分光法によって明らかにする.さらに,界面組成の異なるZaSe/GaAsヘテロ接合ダイオードを作製し,その電気的特性が,設計したバンド不連続量に強く依存していることを示す.
