GaAsのドライエッチング損傷の微細構造評価

抄録

ドライプロセスによってGaAs中に導入されるダメージの起源を調べるため,光検知電子スピン共鳴法とフォトリフレクタンス分光法にそれぞれ改良を加えて適用した.ここではこれらの評価手法について紹介するとともに,実用上重要なダメージによるキャリア桔渇を構成ずる二つの要因,点欠陥導入と水素原子侵入,の相対的役割について論じる.