応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
ポーラスシリコンの発光
間接・直接遷移の枠を超えて
越田 信義
著者情報
ジャーナル フリー

1997 年 66 巻 5 号 p. 437-443

詳細
抄録

可視発光性ポーラスシリコン (PS) の形成過程,基本的性質,および発光特性と応用に関する研究の現状をまとめる, PSの発光波長は,陽極酸化後の光エッチングにより,赤から青まで連続的に制御できる.そのさい表面酸化はまったく進行しないことなどから,バンドギャップが増大したシリコン微結晶における可視域に共通の発光機構がうかがえる. PS発光ダイオードの外部量子効率は0.1%程度にまで向上し,屈折率制御性を生かした光共振器・導波路の動作も確認された.また発光に関連して,冷電子放出やメモリー効果なども見いだされた.これらの結果は,微結晶系に特有の光・電子機能が存在することを示唆する.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top