1997 年 66 巻 6 号 p. 550-558
Gビット級超LSI時代を迎え,プうズマを用いたエッチング(加工)技術,堆積技術にもより高精度なものが要求されてきている.従来はプラズマはブラックボックスとして扱われ,どちらかといえば基板表面で起きるエッチング,堆積現象を主に考えてきた.しかし,0.1μmレベルの超微細なデバイスを製造するためには,活性種を生成させるプラズマそのものを十分に制御しなければならなくなっている.本報告ではパルス変調プラズマによるプラズマ制御と実際のプラズマプロセスへの応用について総合的に報告する.