応用物理
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ビスマス系超伝導超薄膜の合成とイオンビーム改質
斎藤 一男
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1997 年 66 巻 6 号 p. 580-583

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抄録

単元スパッタ法によりMgO単結晶基板上に蒸着した膜厚100Å以下のBi系超薄膜の熱処理条件の最適化により膜厚70Å, 40Åおよび20Åで最高値として106K, 88Kおよび84Kという高い超伝導ゼロ抵抗温度, Tc,oが観湖された.超伝導を示す最小膜厚は,ビスマス系超伝導体のハーフユニットセル長に相当する約20Åであった.比較的Tc,oの低Lt,低品質の超薄膜に対しては, Arイオン照射と低温アニールによる改質法が有効である.その改質機構は,イオンのチャネリングとユニットセルサイズの衝突力スケートの選択形成に起因すると考えられた.

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