応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
アモルファス半導体の構造
田中 一宜
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1998 年 67 巻 11 号 p. 1306-1310

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抄録

アモルファス半導体の構造について,まず,その表現方法,熱力学的状態を路記した.また,平均配位数を用いて構造安定性を議論し,アモルファス半導体を分類した.次に,応用上,最も重要な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を取り上げ,その構造について,水素と欠陥を中心にしてややくわしく議論した.最後に,電子物性と構造の関係を直観的に整理し,概略を表に示した.

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© 社団法人 応用物理学会
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