応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
MOSトランジスタの動作原理
石原 宏
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1998 年 67 巻 4 号 p. 456-461

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抄録

MOSダイオードとMOSFETの動作特性について解説している.まず,ダイオードの表面状態について説明し,表面キャリア濃度,反転しきい値電圧,容量一電圧特性などの解析を行っている,次いで,ダイオードとFIETの動作特性の本質的な違いを説明し, FETの電流-電圧特性を,ゲート電圧が反転しきい値電圧よりも高い場合と低い場含とに分けて導いている.

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© 社団法人 応用物理学会
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