応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
携帯電話用低雑音GaAs IC
中塚 忠良
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1998 年 67 巻 4 号 p. 462-466

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抄録

移動体通信端末の小型・高性能,低消費電力化を実現するため,新しい技術を適用した低雑音GaAslOを開発した.本ICは低雑音増幅器,周波数変換器,LO増幅器から構成されており,高誘電体キャパシターを内蔵し,高性能0.5μmゲートLDD BP. MESFETおよび新規回路構成を用いている.本ICは周波数880MHz帯において,変換利得32dB, 雑音指数3.5dB, イメージ抑圧比25dBの優れた性能と, 3V, 3.5mAの低消費電力を同時に実現している.

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© 社団法人 応用物理学会
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