応用物理
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III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製
福井 孝志原 真二郎熊倉 一英
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1998 年 67 巻 7 号 p. 776-786

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抄録

結晶成長技術を利用して,異なる2つの半導体材料を積み重ねた,半導体ヘテロ接合構造形成の研究の進展は,量子井戸のみならず,量子細線および量子ドット構造の形成を可能にしつつある.ここでは, GaAsを中心としたIII-V族化合物半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長技術;を利用することにより,電子(あるいは正孔)を,一次元および零次元に閉じ込めた量子細線,量子ドット構造の作製法に関して報告する.

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© 社団法人 応用物理学会
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