応用物理
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シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性
宮崎 誠一廣瀬 全孝
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1998 年 67 巻 7 号 p. 807-811

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抄録

シランガスの減圧CVD法によって,ナノメートル寸法の半球状シリコン結贔粒(Sl量子ドット)をシリコン熱酸化膜および石英基板上に高密度 (~1011cm-1) に自然形成し,光学吸収およびフォト・ルミネッセンス (PL) 特性を評価した.表面熱酸化したシリコン量子ドットにおいて, 1.2eV以上のエネルギー領域で室湯PLが観測された.ドットサイズの減少に伴って, PLスペクトルは,光学吸収端の高エネルギーシフト・と同程度に高エネルギーシフトすることがわかった. PLピークエネルギーは,光学吸収端から大幅に(約8.9eV) ストークスシフトしていることに加えて, PL強慶の温度依存性がきわめて弱いことから,この発光は周在準位を介した発光再結合週程に起因する可能性が高いことが示竣された.

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© 社団法人 応用物理学会
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