(311) A面GaAs段差基板上にMBE成長により作製した横型p-n接合光電子デバイス
1999 年 68 巻 12 号 p. 1359-1365
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1999 年 68 巻 12 号 p. 1359-1365
(311) A面GaAs段差墓板上にSiドープしたGaAs層を分子線工ピタキシーを用いて成畏させることにより,基板面内に横型p-n接合を形成することが可能である.このようなp-n接合構造は光電子デバイスへの応用において種々の利点を有する.本稿では,横型p-n接含構造の特徴を生かした光電子デバイスとして,発光ダイオード,面発光レーザー,高速フォトダイオードの作製とそれらの特性について紹介する.
