エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用

木本 恒暢; 矢野 裕司; 松波 弘之

doi:10.11470/oubutsu1932.68.1384

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用

木本恒暢, 矢野裕司, 松波弘之

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ジャーナルフリー

1999 年 68 巻 12 号 p. 1384-1387

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.68.1384

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抄録

ステップ制御エピタキシーにより,高純度,高品質のSiC成長層が得られた.室温フオトルミネッセンスで自出励起子発光が観測され,無添加時の残留キヤリア密度が1×10¹⁴cm^-3, 深い準位の密度が4×10¹²cm^-3と低いことがわかった. SiC反転型MOSFETのチャネル移動度の抑制要因について考察した.特に (1120) 面を用いることで4H-, 6H-SiCともに100cm²/Vs程度の高いチヤネル移動度を得た.

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