応用物理
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電極の界面構造・安定性の設計
電極の界面構造,安定性,ショットキー障壁の原子レベルでの理解と実效的予測
杉野 修Bung Deok YU
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1999 年 68 巻 12 号 p. 1397-1400

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抄録

半導体集積回路の電極材料であるOoSi2/Si, NiSi2/Siなどの金属半導体界面の物性を解説する.この界面の研究は長い歴史をもつ.しかし,均一・平坦なエピタキシャル界面が作成可能になった現在,従来のショットキー理論はかなりの修正が必要になってきている.特に,界面原子構造によってショツトキー障壁が大きく変動することなどが明らかになり,原子スケールで理論を構築する必要が出てきている.この状況を踏まえ,本講座では (1) ショットキー障壁の実測値や理論がどのように変遷してきたか, (2) 金属半導体界面の安定構造はどのようなものか, (3) 界面生成反応はどのように影響を及ぼすか,の3点について基礎的な側藏を解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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