水素ラジカル源付プラズマCVD装置による高品質銅薄膜の形成
1999 年 68 巻 3 号 p. 299-303
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1999 年 68 巻 3 号 p. 299-303
集積回路内配線用の高品質銅薄膜形成のために,成膜速度を左右する材料ガスの分解と膜中不純物除去に重要なHラジカル照射量とを,独立に制御できる水素ラジカル源付プラズマCVD装置を開発した.この装置を用いると,従来より低H2希釈率で高品質銅薄膜が形成できる.さらに,比較的容易に成膜前駆体の表画付着率が制御でき,その結果として,きわめて優れた微細パターン内の膜被覆を実現できる.
