応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
高温超伝導体積層型SISジョセフソン接合と酸化物界面工学
川崎 雅司藤本 英司土屋 龍太Mikk LIPPMAA佐藤 弘赤穂 博司鯉沼 秀臣
著者情報
ジャーナル フリー

1999 年 68 巻 4 号 p. 391-396

詳細
抄録

高温超伝導体の出現で一気にブレノイクした酸化物エピタキシャル薄膜研究は、10年以上が経過した今、エレクトロニクス分野で大きな潮流となりつつある。強・高誘電体や憂大磁気抵抗物質、紫外光レーザー材料とさまざまな展開を見せる中で、デバイス構築に不可欠な酸化物ヘテロ界面の化学と物理の理解はいまだ十分ではない。高温超伝導体を用いた積層ヘテロ接合型ジョセフソントンネル接合の構築をめざして行ってきたわれわれの研究を紹介し、酸化物特有の原子レベル界面制御技術の進展を説明する。

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top