GaNを用いた電子デバイス
1999 年 68 巻 7 号 p. 787-792
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1999 年 68 巻 7 号 p. 787-792
GaNはSIC, ダイヤモンドと同様ワイドバンドギヤツプ半導体材料で高耐圧,高周波,高濫動作のパワーデバイスとして注目され,電子デバイスの研究開発も最近活発になされてきている.本報告では,ワイドバンドギャップ暴導体を用いたデバイスが,なぜ耐環境電子デバイスとして優れるのかを性能指数をもとに説明し, GaNを用いた電子デバイス特にGaN MESFE丁の400°Cでの高温動作の現状について紹介する.
