加圧MOVPEとAlGaInNレーザー
1999 年 68 巻 7 号 p. 801-804
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1999 年 68 巻 7 号 p. 801-804
MOVPEにおける成畏圧力を常圧より高め, GaNエピタキシャル膜の結晶性に及ぼず成長圧力の効案について,欠陥密度,光励起発搬しきい値,格子緩和などの観点から調べた,その結累,成長圧力を0.9気圧から1.6気圧に高めるに従ってGaN膜の結羅学的および光学的特性が虜上することを見い出した.実際に1.6気圧成擾のGaN系材料を基に作製したレーザーの室温連続動作特性を紹介し,レーザーデバイスの特性においても域長圧力の効果が確認できたことを示す.
