抄録
半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術である不純物ドーピングについて,その基礎を講義する.ドーピングは,母体を構成ずる元素を,原子価の異なる元素で置換することにより,キャリア密度をはじめとする物性をコントロールする技術である.本稿では,不純物原子に対する水素原子様モデルについて述べ,比誘電率・有効質量との関係を論じる.さらに,高濃度ドーピングやドーパントの不活性化などの諸問題について概説する.
© 社団法人 応用物理学会
半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術である不純物ドーピングについて,その基礎を講義する.ドーピングは,母体を構成ずる元素を,原子価の異なる元素で置換することにより,キャリア密度をはじめとする物性をコントロールする技術である.本稿では,不純物原子に対する水素原子様モデルについて述べ,比誘電率・有効質量との関係を論じる.さらに,高濃度ドーピングやドーパントの不活性化などの諸問題について概説する.