応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
半導体への不純物ドーピング
奥村 次徳
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1999 年 68 巻 9 号 p. 1054-1059

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抄録

半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術である不純物ドーピングについて,その基礎を講義する.ドーピングは,母体を構成ずる元素を,原子価の異なる元素で置換することにより,キャリア密度をはじめとする物性をコントロールする技術である.本稿では,不純物原子に対する水素原子様モデルについて述べ,比誘電率・有効質量との関係を論じる.さらに,高濃度ドーピングやドーパントの不活性化などの諸問題について概説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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