走査電子顕微鏡で観る結晶成長表面の原子の振る舞い
2000 年 69 巻 10 号 p. 1174-1179
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2000 年 69 巻 10 号 p. 1174-1179
GaAsやSi表面での結舗成長における表藤原子の振る舞いを,走査電子顕微鏡による原子ステップや成長島の動的観察の結果から論じる.GaAs表面では,分子線エピタキシーにおいて,二次元島の生成・成長・融合過程の実空間像を得た. Si (111) 表面では100μmに及ぶ巨大平坦面を用い,ステップフロー成長とステップフロー昇華を比較した.さらに,原子ステップの分布をネットワーク状に制御したSi (111) 基板を用い,ステップをテンプレートとした線状のGaAsやAu島の選択成長を,その場観察により実現した.
