結晶成長表面の動的挙動と原子スケールシミュレーション

抄録

基板面上に形成される微細構造を制御できれば,新たなデバイス開発に多くの進展が期待できる.それが自己形成であれば,生産コスト面でも大きな効果をもたらす.その可能性を探るためには,基板面上の二次元核形威遇程を原子レベルで理解することが重要である.モンテカルロ法を用いて,結晶表面の動的過程をシミュレートすることにより,エピタキシャル成長の初期段階である核形成週程の解析について述べる.