応用物理
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InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイス
常信 和清田中 均
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2000 年 69 巻 2 号 p. 152-158

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抄録

InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイスは,従来より研究開発されてきたAIGaAs/GaAsヘテロ接合デバイスに比べ,優れた高周波特性を示す。本解説では,ヘテロ接合のバンドラインナップおよび界面再結合速度,衝突イオン化係数の違いについて,またこの違いがInGaP/GaAsヘテロ接合を用いたFETならびにヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT (Hetero junction Bipolar Transistor) の高周波特性やパワー特性,雑音特性,素子寿命特性へもたらす利点について概説する。

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© 社団法人 応用物理学会
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