応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
鷲尾 勝由
著者情報
ジャーナル フリー

2000 年 69 巻 2 号 p. 166-171

詳細
抄録

SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ (SiGeHBT) は, SiGeをベース領域に用い化合物半導体デバイスに匹敵する高周波・高速性能を有し,マイクロ波からミリ波帯にいたる無線通信システムや高速伝送システムなどのキーデバイスとして期待されている.本稿では, SieHBTに関する,エピタキシャル成長,プロセス・デバイス技術,トランジスタ特性, ICへの応用について解説する.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top