SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
2000 年 69 巻 2 号 p. 166-171
詳細
2000 年 69 巻 2 号 p. 166-171
SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ (SiGeHBT) は, SiGeをベース領域に用い化合物半導体デバイスに匹敵する高周波・高速性能を有し,マイクロ波からミリ波帯にいたる無線通信システムや高速伝送システムなどのキーデバイスとして期待されている.本稿では, SieHBTに関する,エピタキシャル成長,プロセス・デバイス技術,トランジスタ特性, ICへの応用について解説する.
