応用物理
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AINエピタキシー膜を用いたAlN/GaN絶縁ゲートFET (MISFET)
河合 弘治中村 文彦今永 俊治
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2000 年 69 巻 2 号 p. 179-181

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抄録

6nmの極薄AINを絶縁鷹としたAIN/GaN MISFIET (絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)を試作した.ゲート長1.4μmで500mA/mmのドレーン電流と220mS/mmの相互コンダクタンスが得られ,化合物半導体で, MISFETが可能であることを示した.しかし,ゲートリーク電流が予想より大きく,この解決には結晶成長技術の向上が不可欠である. AIN/GaN MISFETの二次元モンテカルロ計算を行い, FET特性を予測した.

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© 社団法人 応用物理学会
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