応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
シリコン中の不純物原子拡散
谷口 研二
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2000 年 69 巻 4 号 p. 427-434

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抄録

シリコン基板中では,ドーパント(不純物原子)が点欠陥(空孔,格子間シリコン原子)と対になって拡散するため,その拡散係数は点欠陥の濃度に比例する.点欠陥はイオン注入やシリコン表面の酸化などの外的要因で発生する.例えば,イオン注入プロセスなどで導入された過剰な点欠陥は,低温熱処理時に2次欠陥({311}欠陥, End of range 欠陥)に析出し,一時的に点欠陥が蓄積されるが,さらに熱処理を続けると2次欠陥が分解して点欠陥を放出する.この点欠陥の析出・分解などの挙動を数値的に解析することによって不純物原子拡散に関連するさまざまな現象が明らかになり始めている.

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© 社団法人 応用物理学会
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