応用物理
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ウエット洗浄の物理化学—液中における極微量金属汚染の振る舞いを追う—
森永 均
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2000 年 69 巻 5 号 p. 568-574

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抄録

半導体素子の微細化,高集積化に伴い,微量汚染対策はますます重要となっており,そのために用いられるウエット洗浄技術は半導体プロセス技術の中でも最もプロセス数が多い,重要な基盤技術となっている。本稿では,現在の洗浄法を簡単に紹介した後,汚染洗浄のメカニズムを金属汚染を例に解説する.汚染は液のPHや酸化還元電位の制御,あるいは錯化剤の添加により,さまざまに形態を変え,基板から除去,あるいは基板表面と反応して再付着する.重要なのは,メカニズムを理解して,効率的で再現性のある洗浄法を組むことである.洗浄機構を考慮した新しい洗浄技術や今後の課題についても解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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