分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるSi薄膜表面のその場観察

抄録

原子オーダーの測定精度をもつ分光エリプソメトリーおよび全反射赤外分光を用いて薄膜の実時間その場観察測定を試み,水素化アモルファスおよび微結晶シリコン薄膜の成長表面を評価した.特にここでは,分光エリプソメトリーから得られる薄膜構造(表面ラフネス層およびバルク層)の変化を,赤外分光より観察されるシリコンー水素結合状態と対応させ,その結果から理解される微結晶シリコンの成長機構について紹介する.