超解像露光技術の現状と課題
2000 年 69 巻 9 号 p. 1060-1066
詳細
2000 年 69 巻 9 号 p. 1060-1066
加速するLSI微細化を実現するため, LSIに特徴的なパターンの解像度を向上する超解像露光技術が重要となってきた.斜入射照明,位相シフトマスク,瞳フィルターなどの手段により,周期パターンに対して2光束干渉,孤立パターンに対してベッセルビームまたは多璽焦点により解像度を向上する.これらは多重露光などのイメージプロセシングと組み合わせることにより,さらに応用範囲が広がる.また,レジストプロセス的に光学解像限界を超えることもできる.これらの技術を短波長レーザー露光と組み合わせてサブ100nm世代のLSIを実現するには,パターン設計,マスク,光学系,レジストプロセスのすべてでナノメートルレベルの精度が必要である.
