最近のSOI (silicon-on-insulator) 素子技術
2001 年 70 巻 2 号 p. 165-168
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2001 年 70 巻 2 号 p. 165-168
SOI技術の各種LSIにおける最近の研究開発動向が述べられる.高速MPUにおいては,基板浮遊効果を回避しながら,バルクシリコン素子に比べて20～30% の高速化が達成されている. DRAM 応用においてはソフトエラ一フリー,ビット線容量低下などの利点とともに,ダイナミックリテンション特性の劣化問題などが指摘されている.通信用LSIでは,支持基板に高抵抗シリコンを用いることによりインダクターの性能改善とクロストーク改善が可能となる.そのほか,動作電圧0.5V 以下で動作するLSIへの応用,SOIを用いたポストスケーリング素子構造,および今後のSoCに向けた開発の方向性などが述べられる.
