新しいメモリー・デバイス
2001 年 70 巻 2 号 p. 192-196
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2001 年 70 巻 2 号 p. 192-196
前回まで,集積化・微細化が推し進められている実用レベルのメモリーを見てきた.今回は21世紀初頭の実用化をめざし研究・開発の進んでいる新しいタイプのメモリーを概観しよう.この十数年,新しいデバイス原理として注目を浴びてきたクーロンブロッケード現象を応用した単一電子メモリー,新しい型のメモリーとして急速に注目を集めてきた磁性ランダムアクセスメモリー,長年の地道な研究が重ねられてきた負性抵抗メモリーにっいて,その原理および現状を解説する.
