応用物理
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スピン機能材料の電子状態
白井 正文
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2001 年 70 巻 3 号 p. 275-278

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抄録

III-V族希薄磁性半導体における強磁性発現機構を, 第一原理計算された (Ga, Mn) ASの電子状態をもとに議論する.その結果, Mn 3d 軌道と価電子バンドの主成分であるAs 4p 軌道の間の混成が,強磁性発現のための重要な因子であることが明らかになった.この結果を踏まえて, III-V族化合物半導体をベースとした新たな強磁性体として,せん亜鉛鉱型CrAsおよび希薄磁性半導体 (Ga, Cr) As が,高い転移温度をもつことが予測される.

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© 社団法人 応用物理学会
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