II-VI族希薄磁性半導体を用いた光アイソレーター
2001 年 70 巻 3 号 p. 300-303
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2001 年 70 巻 3 号 p. 300-303
II-VI族希薄磁性半導体Cd1-x-yMnxHgyTe1-zSez単結晶 (0<x≤0.50, 0≤y≤0.30, 0≤z≤D.02) は, 630～1047nm帯用光アイソレーター材料として優れた材料である.筆者らは,光通信システムのキーデバイスであるエルビウム添加光増幅器の低ノイズ励起光源 (980nm) 用高性能ファラデー回転子の工業的量産法を開発した.溶媒移動型帯溶融法 (ZM法)による結晶成長技術の最新の結果および光アイソレーターへの応用について紹介する.
