半導体プラズマエッチング技術の研究開
ASET成果報告と技術展望
2001 年 70 巻 4 号 p. 387-397
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2001 年 70 巻 4 号 p. 387-397
ASETは電子産業の基盤技術研究を促進するために1996年2月に発足した.その1テーマとして,プラズマ技術研究室では,科学的理解に基づいた見通しのよい効果的なプラズマエッチング技術の研究を 5 年計画で進めた. Sio2 エッチングに使うフロロカーボン (CF) ガスのプラズマ,表面反応およびモニターや解析手法,モデリングの研究を行い,エッチングの全体像の解明を試みた.本報告では, OFラジカル生成,ウエ八一表面および微細ホール中での輸送,エッチング反応を律速する CF重合膜の形成についての研究成果を報告する.また,モニター,反応モデルとモデリングを駆使したプロセス制御について議論し,将来展望について述べる
