応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
プラスセマ源I(無磁場)
三宅 正司
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2001 年 70 巻 4 号 p. 460-464

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抄録

半導体プロセスを中心とする材料加工において,真空中の低温プラズマを利用することは必須となっている.そして,素子のさらなる微細化および高スループットを満たすために,気体の圧力ができるだけ低い条件で,大面積にわたって一様で,かつ電子やイオンのエネルギー分布まで制御した高密度プラズマを生成することが重要になりつつある.本講座においては,このような図標を達成するべくこれまで開発されてきた種々のプラズマ源のうち,外部磁場を加えないものを取り上げ,その発生技術や特徴をできるだけ平易に解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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