CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
2001 年 70 巻 9 号 p. 1082-1086
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2001 年 70 巻 9 号 p. 1082-1086
CVD法によるSi(100)上でのSi1-x-yGexCy低温ヘテロエピタキシャル成長と不純物ドーピングに関して,デバイスへの適用上重要なGe比率・O比率・膜厚・不純物濃度の高精度舗御を実現した.SiH4-GeH4系におけるSiH3CH3,PH3とB2H6添加での成長特性を広範に明らかにし,それをラングミュア型表面吸着・反応速度式で安式化した.また,Si1-x-yGexCyエピタキシャル薄膜特有の膜中不純物の電気的不活性化現象を明らかにした.
