水素終端シリコン表面におけるゲルマニウム吸着原子の挙動—第一原理シミュレーションによる解析—
2002 年 71 巻 10 号 p. 1247-1250
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2002 年 71 巻 10 号 p. 1247-1250
原子レベルの薄膜,表面形成過程の理解は,ナノスケールでの薄膜表面制御における基礎知識として重要である.水素終端したSi(001)表面上にGe原子が吸着,拡散,藻形成する動的挙動を第一原理計算とモンチカルロシミュレーションによって原子レベルで詳綬に調べた.Ge-Si置換反応, Ge原子のsubsurface領域の長距離ジャンプ拡散, Ge原子からSi原子への拡散種の変化,など特異な拡散週程が明らかになった.この特異な拡散過程はダイマー形成の初期段階に大きな影響を及ぼす.
