高機能半導体レーザーの設計に必須なシミュレーション技術の考え方を,電子デバイスとの相違について述べることで概説する.半導体光デバイス特有のひずみ量子井戸構造を含む基板設計の重要性について記してある.レーザー共振器断面でのシミュレーションについては,電子デバイスのキャリア輸送に加えて屈折率や利得で光が閉じ込められるモデルを解説する.寸法がけた違いに大きな共振器方向については,主として光学特性に注目したシミュレーションを解説する.さらに高度化するシミュレーション技術の例として,最適化手法について言及する.